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            碳化硅高溫氧化爐能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時亦可用于常規的硅圓片的氧化。

            簡介

            Centrotherm Oxidator 150 經過團體的, 能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時亦可用于常規的硅圓片的氧化。

            Oxidator 150

            Oxidator 150 [1]

            爐管和加熱器均處于真空密閉反應腔內; 上下料腔室可用Ar或 N2 進行吹掃。這樣的設計可以有毒氣體 [如 NO, N2O, H2, NO2 等] 使用。

            MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)氧化工藝使用 N2O 氣氛, 可以 SiO2/SiC 接觸表面以獲得高的通道遷移率, 同時可提高SiC表面氧化物的穩定性和壽命。

            高達 1350 ℃ 的溫度和其他支持功能為研制SiC 氧化工藝和低界面陷阱密度, 高通道移動率的氧化層提供可能。

            新式 centrotherm Oxidator 150 的反應腔,具有高性能, 占地少和降低成本生產的特點; 提供工藝靈活度, 同時能夠有毒氣體的使用。

            性能

            真空密封反應腔

            占地面積小 [1.8m2]

            批處理圓片尺寸2″, 3″, 4″, 6″

            批處理數量 40 片硅片2″, 50片硅片6″

            真空度小于10-3 mbar

            可以并排安裝


            河北氧化爐 天津氧化爐 
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